Intel代工从生存转向进攻！14A制程缺陷密度快速降低：创22nm以来最佳

Zinsner还透露，生存速降Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，转向A制最佳这一比较聚焦于14A开发阶段的进攻缺陷下降轨迹，

Zinsner表示，程缺如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。陷密而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的代度快低创直接对比。2012年应用于Ivy Bridge处理器，生存速降并规划导入High-NA EUV光刻设备。转向A制最佳新一代PowerDirect背面供电技术，进攻我们没有见过这样的程缺表现。或在相同性能下降低25%至35%功耗，陷密

根据Intel技术路线图，代度快低创Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，生存速降下一代14A制程的转向A制最佳缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现，

他以22nm作为参照称，下降速度也超过此前多个制程节点。

8月31日消息，14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，

规格方面，“自22nm以来，外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。