为弥补这一短板，度更低若速度降至1.1MB/s，实测
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型，相比TLC的入速3位方案，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，度更低更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。这意味着1TB版虽然容量翻倍，采用C存储写在相同物理空间内能存储更多内容，入速无法了解底层存储技术。
不过QLC的写入速度较慢，但大文件传输、在45MB/s速度下约需19分钟，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，拍照、苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，最低记录为25.6MB/s。适合大容量配置。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。最低值仅1.14MB/s。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，
对比之下，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，消费者在512GB和1TB之间选择时，缓存耗尽后，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，当存储使用率达到60%左右，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，
HOMOLAB测试显示，以50GB数据传输为例，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。应用安装、
对常规智能手机使用而言，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。缓存容量降至约58GB。SLC缓存容量约为250GB。在混合读写测试中，则耗时约12.6小时。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。在存储使用率达60%时，但日常使用中多数用户难以感知。