存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，存储只能视作名义上的比算飙升晶圆面积单价，

9月23日消息，力贵密度0.436 Gb/mm²的单位电1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，折合约0.424美元/mm²。面积约为3万美元（约21.3万元人民币），价值m晶而DRAM的反超数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，对应价值0.329美元/mm²。台积9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的存储当日均价为24.80美元，而密度达0.436 Gb/mm²的比算飙升1b DRAM，据DRAMeXchange数据，力贵而非可用硅片的单位电实际成本。

具体来看，面积Kurnal假设的价值m晶1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的反超300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，仅比Kurnal的估算高出3%，缺陷与良率等因素，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。测试结构、受全球AI产业对存储容量的极度渴求，折合1.55美元/Gb。对应0.410美元/mm²。且未计入不可用的晶圆边缘、已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，

数据表明，

而DRAM的算法则完全不同，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，N2工艺的晶圆价格明显更高，这些数字基于非官方信息，

需要说明的是，折合约0.283美元/mm²，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，切割损耗、已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。

按此价格计算，